[엔지닉 반도체 8대 공정] 반도체 취업 뿌수기(DRAM&NAND Flash)

DRAM (2) 1. DRAM 셀의 동작원리 - 전하 공유 및 읽기 동작 정리 (Cb/Cs ratio) - 리프레시(Refresh) 원리와 방식 2. DRAM 셀의 Capacitance 확보 이유, 방법 및 문제점/해결책 NAND Flash (1) 1. 낸드 플래시 셀 구조 - 부유 게이트 - Cell Array 및 NAND/NOR Flash 비교 2. 낸드 플래시 셀 동작 원리 - 프로그램 / 소거 /읽기 3. 낸드 플래시의 3가지 종류(SLC, MLC, TLC) 정의 및 특성, 동작원리 예상질문 대답하기 1. 셀 누선 전류의 원인에 대해 정리해보세요 DRAM은 셀 커패시터에 전하를 저장하는 방식의 메모리 소자이므로, 다양한 경로를 통한 전하 유출은 데이터 손실 문제를 일으킨다. 먼저 순수한 접합부에서의 누설 전류이다. 이는 접합부의 고농도 도핑에 의한 고 전계 형성 또는 공정 문제에 의한 PN 접합의 결함으로 발생한다. 또다른 원인은 게이트에 의해 유도된 드레인 누설 전류이다. ...

원문링크 : [엔지닉 반도체 8대 공정] 반도체 취업 뿌수기(DRAM&NAND Flash)