3월 22일 SK하이닉스: 이석희 SK하이닉스 사장 "낸드플래시 600단 적층 가능할 것"


3월 22일 SK하이닉스: 이석희 SK하이닉스 사장

"향후 D램 10나노미터(nm) 이하 공정 진입, 낸드플래시 600단 이상 적층도 가능하다." 세계 2위 메모리반도체 업체 SK하이닉스가 D램과 낸드플래시 기술력에 자신감을 드러냈다. 이석희 SK하이닉스 대표이사(CEO)..

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