(12/17) 반도체 기술 리포트 : IBM과 삼성전자, VTFET 발표 외 1편.

반도체산업 - IBM과 삼성전자, VTFET 발표.(NH투자증권) IBM와 삼성전자가 FinFET 구조의 한계를 해결할 수 있는 VTFET을 발표. 성공적으로 양산될 경우 고성능 연산 수요 증가에 기여. 장비 분야에서는 Selective Deposition, ALE 제조사에 수혜. -. 공정 한계를 해결하는 VTFET. 1) IBM이 삼성전자와 협력해 VTFET(Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor) 기술을 발표함. 2) 현재 업계에서 주력으로 사용되고 있는 기술은 웨이퍼 평면을 따라 트랜지스터를 적층하는 FinFET임. 3) 그러나 10nm 미만의 FinFET 기반 공정 기술은 스페이서, 게이트, 컨택을 위한 공간이 매우 부족해져 한계에 봉착함...

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