Kirk effect (커크 효과) 또는 Base push-out effect

#kirk_effect #커크효과 #BJT #LDMOS #base_width_modulation #베이스폭변이 LDMOS(혹은 DEMOS) 소자를 개발하는 엔지니어 입장에서 보면, Kirk effect(이하 커크 효과)는 LDMOS 소자 이해(특히 Drift region 부분)를 위하여 반드시 알아야 할 device physics이다. 하지만 구글이나 네이버에 검색해 봐도 어떤 메커니즘으로 kirk effect가 발생하는지 이해할 수 있는 자료는 찾아보기 힘들뿐더러 쉽게 이해할 수 있는 건 아닌 것 같다. 아쉬운 마음에 네이버에서 "커크 효과"로 검색하면 아래 내용을 확인할 수 있다. 전자용어사전에서 커크 효과 의미 위에 설명을 통해 알 수 있는 것은 BJT에서 Ic(collector current)가 증가할 때, 다량으로 주입된 캐리어에 의해 C-B 접합이 좁아지고, 베이스층(Base width)이 넓어져 current gain(β)와 transition frequency(ft)가...

원문링크 : Kirk effect (커크 효과) 또는 Base push-out effect