웨이퍼 표면을 보호하는 산화공정(Oxidation)

지난 시간, 반도체의 집적회로(IC)의 핵심재료인 웨이퍼(Wafer)에 대해 알아보았습니다. 오늘은 반도체 8대 공정 두 번째 시간으로 웨이퍼 표면에 산화막(SiO₂)을 형성시키는 ‘산화공정’에 대해 알아보도록 하겠습니다. 웨이퍼 표면을 보호하는 든든한 산화막 실리콘 기둥(Ingot) 모래에서 추출한 실리콘은 반도체 집적회로의 원재료가 되기 위해 일련의 정제과정을 거쳐 실리콘 기둥(Ingot)으로 만들어집니다. 이 실리콘 기둥, 즉 잉곳을 균일한 두께로 절단한 후 연마과정을 거치면 웨이퍼(Wafer)가 되는데요. 웨이퍼 연마 직후의 웨이퍼는 전기가 통하지 않는 순수 상태이기 때문에 반도체의 성질을 갖도록 웨이퍼 표면에 여러 가지 물질을 형성시킨 후, 설계된 회로 모양대로 깎고, 다시 물질을 입혀 깎아 내는 작업의 반복이 필요합니다. 이 모든 공정의 기초 단계인 산화(Oxidation)공정은 웨이퍼에 여러 가지 물질로 얇은 막을 증착하는 대표적인 방법으로, 고온(800~1,200)에...