[반도체 8대공정]_Dry ETCH (2)

하루에 한페이지씩 완벽하게 내것으로 Dry Etch 공정 parameter 1. Etch Rate "단위 시간당 Target film의 식각량 (Å/min)" 2. Selectivity "Target 필름의 etch rate와 하부 필름의 etch rate의 비율" (=Target 필름의 etch rate와 Etch Mask의 etch rate 비율) Etch selectivity를 증가시키는 방법 ① Carbon Blocking Silicon에 대한 SiO2의 etch selectivity를 증가시키기 위해 Fluorine compound gas의 C/F 비율 조정 -> CF4 보다 C2F4가 Carbon Blocking layer가 더 많이 생긴다. ②Etch product volatility 물질간의 Etch Species와의 반응으로 발생하는 Etch product의 volatility를 변화시킴 ③Thermdynamics를 이용 Cl2, Br2는 비교적 낮은 Ion ener...

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