[반도체 8대공정]_Dry ETCH (3)

하루에 한페이지씩 완벽하게 내것으로 Dry Etch 공정 parameter 6. Etch bias " Etch bias = | FICD-DICD | " CD: Critical Demension (가장 중요한 패턴의 크기, 가장 작은 크기가 Measure point 의 CD가 되지 않을 수 있다.) DICD (ADI CD) : (Afer)Develop Inspection FICD (ACI CD) : Final Inspection (Afer Cleaning Inspection) 7. Bowing " 균일하게 Etch 되지 않고 항아리 모양으로 etch되는 현상 " 8. EPD " End Point Detection " 실시간 모니터링 장치 OES (Optical Emission Spectroscopy)로 Etch Rate를 쉽게 구할 수 있다. 9. Loading effect " Pattern Densuty에 따른 etch 특성 차이를 나타내는 것으로 일반적으로 dense area와 o...

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