반도체 공정 44장(Contact resistance / Al spiking / Electromigration)


반도체 공정 44장(Contact resistance / Al spiking / Electromigration)

반도체에서 Interconnection을 만들 때, 서로 다른 두 물질이 만나면 그 계면에서 접촉비저항(Specific contact resistance)이 발생합니다. 당연히 소자를 설계함에 있어서 Contact resistance를 최소화해야 합니다. 그러기 위해서는 소자에 Annealing을 해줘서 접촉저항을 낮춰줘야 합니다. 그런데, 만약에 Metal을 알루미늄(Aluminum)을 사용한 경우 Al spiking 현상이 일어나게 됩니다. 심할 경우 Junction short가 일어날 수 도 있어서 여러가지 방법을 통해 이를 막아줘야 합니다. 그리고 마지막으로 소자를 작동시키다 보면 Electromigration 현상에 의해 소자 내부에 Void나 Bridge 등이 생길 수도 있는데, 마찬가지로 엔지니어들은 이 모든 문제들을 이미 해결했습니다. 1. Specific contact resistance(접촉비저항) 위 수식은 접촉 비저항(Specific contact resista...


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