SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ④ Gate oxidation / Poly Si deposition


SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ④ Gate oxidation / Poly Si deposition

<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 자, 저번 포스팅에서 전자가 이동하는 통로가 되는 Active region을 만들었습니다. 그럼 Active region을 '수도'라고 하고, 전자가 '물'이라고 할 때, Gate는 '수도꼭지'역할을 할 것입니다. Gate에 어떤 전압이 걸리는지에 따라 수도꼭지가 잠길 수도 있고, 수도꼭지가 열릴 수도 있습니다. Gate의 구조는 MOS(Metal - Oxide - Semiconductor)로 구성되어있는데, Active region을 패터닝하면서 이미 Semiconductor는 존재하기 때문에 그 위에 Oxide와 Metal(여기서는 Poly-si)을 올려보겠습니다. 오늘의 Process인 Gate oxidation과 Poly Si deposition 이 끝나면 위와 같은 단면을 가진 구조가 완성됩니다. 그리고 우측 그림에서 확인할 수 있듯이 MOS 구조의 기초가 완성됩니다. Wa...


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