20. Gate-All-Around(GAA)와 MBCFET 공정 흐름도


20. Gate-All-Around(GAA)와 MBCFET 공정 흐름도

언젠가 한 번은 다루려고 했는데, 이제서야 늦게나마 다루게 되었습니다. 최근 파운드리 산업은 FinFET을 넘어선 다음 세대, Gate-All-Around로 핫합니다. 우리나라의 대표 기업 삼성전자는 MBCFET이라는 이름으로 GAA 공정을 실현했습니다. Multi Bridge Channel FET으로, 나노와이어 구조가 아닌 Nanosheet 구조를 구현한 FET입니다. 삼성전자, 세계 최초 3나노 파운드리 양산 삼성전자가 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노(nm, 나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 news.samsung.com GAA란 무엇인가 Gate all around 우리가 아는 MOSFET은 위 그림과 같이 진화를 거듭했습니다. 앞선 포스팅에서 계속 알아본 내용이 Short ch...


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