Reactive Ion Etching의 실험결과에 대한 정리, selective etching이 되는 이유


Reactive Ion Etching의 실험결과에 대한 정리, selective etching이 되는 이유

Reactive Ion Etching은 플라즈마 상태의 이온들이 substrate에 빠른 속도로 부딪혀 physical etching인 Ion bombardment를 일으키거나 chemical etching인 'substrate와 결합 뒤 떼어짐'이 일어나 식각을 한다. F..

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