Reactive Ion Etching은 플라즈마 상태의 이온들이 substrate에 빠른 속도로 부딪혀 physical etching인 Ion bombardment를 일으키거나 chemical etching인 'substrate와 결합 뒤 떼어짐'이 일어나 식각을 한다. F..
Reactive Ion Etching의 실험결과에 대한 정리, selective etching이 되는 이유에 대한 요약내용입니다.
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