VACUUM FURNACE RTP 1250


VACUUM FURNACE RTP  1250

VACUUM FURNACE RTP 4인치 내부사이즈: 950 * 650* 620 H 온도범위 : ~1250 POWER 220v 3p 반도체 wafer 열처리장비 RTP 급속열처리 장치 진공챔버에서 작업 , Single wafer 작업 1매 사용 , 할로겐램프사용, 열처리시간 1분...

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