반도체 산화막 두께 측정 국제기준 수립 성공


반도체 산화막 두께 측정 국제기준 수립 성공

한국표준과학연구원 국내 중소기업 장비 이용, 1나노미터 이하 정밀 측정 기준 마련 한국표준과학연구원(KRISS, 원장 박현민)이 국내 중소기업 기술로 개발한 첨단 측정 장비를 통해 1 나노미터(nm, 10억 분의 1m) 이하 반도체 산화막 두께 측정의 국제기준을 마련하는 데 성공했다. KRISS 소재융합측정연구소 표면분석팀은 국산 장비인 중에너지이온산란분광기(MEIS)를 이용, 1nm 이하 반도체 산화막의 절대 두께(다른 요소에 영향을 받지 않는 실제 두께)를 정밀하게 측정할 수 있음을 세계 최초로 확인했다. 이 기술은 국제회의에서 하프늄산화막의 기준 두께를 결정하는 방법으로 채택되는 등 국제기준으로 활용되기 시작했다. 이번 성과의 핵..........



원문링크 : 반도체 산화막 두께 측정 국제기준 수립 성공