IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor) 종류와 장단점

IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor) 종류와 장단점 1. IGCT (1) 통합 게이트 정류 사이리스터(Integrated Gate Commutated Thyristor, IGCT)는 대용량의 전류를 제어할 수 있는 신형 반도체 소자로서 전력 반도체의 일종이다. (2)GTO 와 비슷한 사이리스터의 일종으로, 제어 단자(gate) 신호로 켜고 끌 수 있으며 GTO에 비해 전도 손실이 적은 것이 특징이다. (3)또한 IGCT는 GTO에 비해 조금 더 고속의 스위칭이 가능하다. 최고 400kHz까지의 스위칭이 가능하지만, 주파수가 높아지면 변환 손실이 커지기 때문에 보통은 500 Hz 정도로 스위칭한다. 2.IGCT의 종류 (1) S-IGCT 발생한 역전압을 균형 있게 (..

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