[엔지닉 반도체 8대 공정] 반도체 취업 뿌수기(NAND&포토공정)


[엔지닉 반도체 8대 공정] 반도체 취업 뿌수기(NAND&포토공정)

NAND FLASH (2) 1. 부유 게이트(FG)와 전하 포획형(CTF) 셀의 차이점 2. 2D NAND의 한계와 3D NAND의 등장 이유 3. SRAM / DRAM / NAND 비교 및 정리 포토 공정 (1) 1. 포토 공정 정의 2. 포토 마스크 정의와 제작 방법 3. 포토 세부공정(총 8단계) - 표면처리 (HMDS 처리) : 웨이퍼와 PR과의 접착력 향상 - 포토 레지스트 도포 : PR coating - 소프트 베이크 : solvent 제거 - 정렬 및 노광 : align 및 exposure - 현상 (develop) : 불필요한 PR제거 (음성/양성 PR) - 하드 베이크 : 후속 공정을 위한 PR 견고화 - 현상 후 검사 : CD, O/L, 패턴 불량 등 예상질문 대답하기 1. SRAM과 DRAM, NAND의 차이점을 데이터, 응용, 셀 크기, 내구성 등으로 분류하여 정리해보세요 items SRAM DRAM NAND 휘발성 여부 휘발성 휘발성(Refresh) 비휘발성 ...


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