RF머트리얼즈 - '질화갈륨 전력소자' 국산화 성공

RF머트리얼즈는 산업통상자원부의 '산업용 고출력 레이저 다이오드 칩과 모듈 제조기술 국산화 과제'에 총괄 사업자로 선정되면서 옵토웰, 한국전자통신연구원, 한국광기술원과 레이저 다이오드 칩 개발에 참여했고 일본의 수출 규제 품목 중 하나인 핵심 반도체 부품 '질화갈륨(GaN) 전력소자'를 세계적 수준으로 국산화하는데 성공했다. 이 질화갈륨 전력소자는 출력 전력 300W, 전력 밀도 10W/mm 이상의 성능으로 기존 성능인 8.4W/mm 전력 밀도보다 우수하다. GaN 등 화합물 반도체는 밴드갭(에너지와 에너지 사이의 빈공간)이 넓은 특성과 고온 안정성을 갖고 있다. 단일 원소 반도체인 Si 반도체에 비해 전력을 75% 덜 소비한다. 또 실리콘 반도체에서 분화한 SiC 반도체보다 GaN의 성능이 더 높다. ..

원문링크 : RF머트리얼즈 - '질화갈륨 전력소자' 국산화 성공