SK하이닉스 - 저전력/고성능 모바일 D램 제품 개발 성공

# 업계 최초 HKMG 공정 적용한 모바일 D램 제품 개발 성공/상용화 SK하이닉스가 업계 최초로 제품 개발 단계에 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 적용한 모바일 D램 제품 LPDDR5X(Low Power Double Rate 5X) 개발에 성공하여 양산에 들어가 시장에 제품을 공급하고 있다. HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전 용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 게 특징이다. D램의 소비 전력은 더욱 낮아지고 성능은 향상되는 만큼 해당 제품이 적용된 모바일 디바이스는 1회 충전으로 더욱 오랜 시간 사용할 수 있을 것으로 보인다. LPDDR5X 신제품의 동작속도는 초당 8..

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