삼성전자 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발


삼성전자 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발

삼성전자 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발 삼성전자가 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공하고 고용량 HBM 시장 선점에 나선다. 삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발 삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다. ※ 24Gb(기가비트) D램 용량 = 3GB(기가바이트) ※ HBM3E 12H D램 용량 : 36GB (3GB D램 x 12) ※ TSV: 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 ..


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