Chapter1. Effective oxide thickness, Channel length and channel width

#BSIM460 #BSIMMODEL #BSIM #SPICEMODEL 회사 직무 공부차원으로 BSIM4.6.0 manual을 정리하고자 한다. MOSFET의 물리적 특성과 이것을 구현한 변수를 위주로 간단히 정리하는게 목표다. Gate dielectric model -. Gate dielectric model에 대한 알고리즘은 아래처럼 동작함. Gate dielectric model 알고리즘 -. TOXE는 IV(DC) model, TOXP는 CV model에서 사용함. -. Gate dielectric model parameter는 아래와 같음. · TOXE : Electrical gate oxide thickness · TOXP : Physical gate oxide thickness · TOXM : Measured gate oxide thickness → 보통 TOXE와 같은 값을 사용함. Vt equation에서 K1OX, K2OX 계산에 적용됨. · DTOX : TOXE-TO...

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