MOSFET에서 Vt와 Body effect

아 그림은 반전층이 형성된 MOSFET을 나타낸 그림입니다. MOSFET 반전층은 드레인과 소오스를 연결하는 저항성 N형 필름(1~2nm 정도)으로 생각할 수 있습니다. 이 반전층을 하나의 평행평판 캐패시터의 평판이라고 생각하면 두 가지의 커패시터가 형성되는 것을 확인할 수 있으며 오른쪽 그림과 같이 표현합니다. 1. 게이트와 반전층 간 커패시터(SiO2가 유전체에 해당함) 2. 반전층과 바디 간 커패시터(공핍층이 유전체에 해당함) 공핍층의 커패시턴스는 아래와 같습니다. 참고로 공핍층 커패시턴스는 단위 면적당 커패시턴스 값입니다. 우리는 Vb=Vs인 조건에서 게이트 전압이 반전층에 전하를 유도한다는 내용을 알고 있습니다. 이것을 식으로 표현하면 다음과 같습니다. 그럼 이제 Vb ≠ Vs인 조건을 고려해 보겠습니다. 이제 소스와 바디 사이에 전압 Vsb가 있다고 가정해봅시다. 참고로 위 그림에서 채널이 소스 영역을 통해 Vs가 걸리고, P형 바디에 Vb가 걸리는 것을 알 수 있죠. 바...

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