[반도체 공정 실습]SPTA 구조형성 공정실습 2일차 (2)

Photolithography 정의 wafer위에 설계의 결과물인 mask 회로 정보를 빛(UV)와 PR을 사용해 옮기는 것 Why? etch mask, implanta mask를 만들기 위해서 How? Photo Resist의 구성: polymer, photo active compound(PAC), Solvent(웨이퍼 위에 고르게 coating하기 위해), additive Scaling down 회로 정보 중 pitch를 줄인다. pitch= line+space Q. pitch를 줄이면 photo공정이 어려운 이유? A. 선폭이 줄어들어 빛이 mask를 통과해 PR의 결합을 끊을 수 있을 만큼의 에너지가 도달하지 못한다. => 회로 정보를 전달하지 못한다.= 칩을 못만든다. 파장이 작으면 diffraction도 작아진다 -> mask를 통과해서 PR에 충분한 에너지가 도달한다(회로 전달가능) 렌즈가 작으면 초점이 크고, 렌즈가 크면 초점이 작다 =DOF마진이 작다 -> photo...

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