[반도체 8대공정]_Dry ETCH (6)

하루에 한페이지씩 완벽하게 내것으로 Etch Gas chemistry 의 구성 Etchant gas : 표면과 반응하여 etch 하는 gas ex> CF4, Cl2, C2H8 ... Oxidation : etchant gas의 농도를 올려주거나, polymer 형성을 막아준다. ex> O2 - O2가 C와 반응하여 CO, CO2를 발생시켜 F의 농도를 높이고 Etch rate를 향상시킨다. Radical-scavengers : polymer를 만들어 준다. (Oxidation과 반대) Etchant gas 농도를 줄여준다. ex> H2 - HF를 만들어 C농도가 높아지고 polymer가 많이 형성된다. Inhibitor-Former : selectivity를 향상시키거나 Ansiotropy하게 유도한다. ex> CH3F, CH4 Inert Gas : Etcant 희석, plasma안정화 , 비등방성 향상, 열전달 향상 등을 위해 추가해주는 gas ex> Ar, He Etchant g...

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