반도체 공정 3강(Si deposition method)

MGS의 순도를 더 높이기 위해 Fluidized bed 공정을 거치게 됩니다. 이 과정에서 실리콘 가루를 bed에 얇게 펼쳐서 기체 HCl과 최대 면적에서 접촉하도록 유도합니다. 그리고 MGS는 승화되어 기체 SiH4, SiHxCl4-x가 되고, 정류탑에서 순도 높은 SiH4, SiHxCl4-x를 추출합니다. 이후 설명할 Si deposition method는 위 과정을 지나온 기체상태의 SiH4, SiHxCl4-x를 다시 고체로 만들어서, 순도 11N(99.99999999999%)의 EGS(Electronic grade Si, Polycrystalline)를 생성하는 공정입니다. Si deposition method는 결국 순수한 Si를 추출하는 과정이기 때문에 앞선 과정에서 실리콘에 붙어있던 H를 떼어내야 합니다. 기본적으로 Si deposition에서는 다음과 같은 화학반응이 일어납니다. 실리콘과 결합한 다른 물질을 떼어내기 위해서는 기본적으로 높은 온도와 다른 반응물질이 필...

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