반도체 재료 31장(I-V characteristics of M/S contacts)


반도체 재료 31장(I-V characteristics of M/S contacts)

저번 포스팅에 이어서 M/S contacts의 I-V characteristics를 알아봅시다. 특히, p+n junction과 공통점과 차이점을 중심으로 내용을 풀어가봅시다. 1. I-V characteristics M/S contact와 p+n junction은 Diode electrostatics나 I-V characteristics가 매우 흡사합니다. 하지만 어디까지나 차이점은 존재하기 마련입니다. 위 그림은 p+n diode의 band diagram입니다. p-type에 Acceptor doping을 매우 많이 진행했기 때문에 Hole이 매우 많은 반도체 소자입니다. 그리고 반대편에는 n-type semiconductor가 있는데, 상대적으로 도핑 농도가 낮기 때문에 Depletion layer가 치우쳐서 형성되었습니다. 위 소자는 Hole이 주된 요소로 작용하는 반도체 소자로서, 넓은 영역의 Depletion layer에서 Recombination 하는 것이 전류 흐름의 ...


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