반도체 공정 19강(Selective oxidation & Bird's beak effect)

앞서 Field oxide에 대해 공부를 했습니다. Field oxide는 소자 - 소자 사이의 절연체 역할을 하는 Isolation barrier입니다. 약 250 - 1,500 nm의 두께를 갖는 산화막입니다. 그런데 이 산화막을 만들 때 원하는 부분이 아닌데도 산화막이 생깁니다. 앞서 Basic process of Oxidation에서 산화막은 Si 표면에서 아래로 46%, 위로 54% 영역에서 생성됩니다. 따라서 Nitide oxidation mask를 씌워놔도 밑에 있는 Si도 SiO2가 되어버립니다. 그래서 Field oxide는 실리콘 위에 있는 직사각형 모양이 아니라 새의 부리(Bird's beak)같은 모양을 하고 있습니다. 이 현상을 Bird's beak effect라고 합니다. 1. Selective oxidation / Bird's beak effect ① Si substrate 위에 Pad oxide를 증착합니다. Pad oxide는 차후에 증착할 Silico...

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