반도체 재료 7장(Temperature dependence of carrier distribution)

저번 포스팅에 이어 Carrier distribution의 온도 의존성에 대해 알아보겠습니다. 이미 충분히 유추하실 수 있겠지만, 온도가 올라갈 수록 더 많은 전자가 밴드갭을 극복하고 다 올라가버리니 Intrinsic에 가까워지겠죠? 한번에 캐치하지 못해도 포스팅을 잘 따라가시면 충분히 이해할 수 있습니다. 1. Calculation (n-type) n ≒ ND 이므로 p = ni2 / ND (p-type) p ≒ NA 이므로 n = ni2 / NA 우선 n-type과 p-type에 대해서 위와 같은 수식을 만족한다는 것은 이미 알고 있습니다. 하지만 만약 온도가 점차 올라간다면, 더 많은 전자가 밴드갭을 극복하고 올라갈테니 ni 값이 점차 커지게 될 것입니다. ni = ND / ni = NA 그러다가 결국 ni가 도핑한 양만큼 커지게 될 것입니다. ni = n = p 온도가 점차 더 높아짐에 따라 ni값이 제일 커지게 되면 위와 같은 관계식을 만족하게 되고, Intrinsic se...

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