<포스팅이 순서대로 진행되기 때문에 앞선 포스팅을 아직 못 보신 분들은 앞선 포스팅을 먼저 봐주세요!> 자, 이제 ILD oxide에 구멍을 뽕뽕 뚫어서 Source, Drain, Gate, Well 네곳에 Contact를 위한 Trench를 뚫어줘야 합니다. 그리고 앞으로 Metal pad와 Contact 할 지점만 Oxide를 제거 해줘야겠죠. Oxide의 두께가 꽤나 두껍기 때문에 Photolithography를 진행해주고, 2 step으로 Oxide를 Etching 해줘야 합니다. 먼저 Dry etching을 통해 Oxide를 Non-isotropic 하게 제거해줍니다. 이때 주변에 있던 Photoresist를 Trench 내부로 끌고들어와 벽에 Polymer formation(PR 찌꺼기)을 두르게 됩니다. 이어서 Wet etching이 진행되는데, Selectivity가 우수하기 때문에 딱 SiO2만 제거하고 Poly silicon에는 아무런 반응도 하지 않는 장점이 있습...
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원문링크 : SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ⑦ Contact region photolithography
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