반도체 공정 32장(Junction depth & Deviation from theory)

앞서 웨이퍼에 Ion implantation 공정을 수행하면 Gaussian profile이 얻어진다고 했습니다. 아무튼 엔지니어들이 Ion imlantation 공정을 사용하는 여러 이유가 있겠지만, 가장 중요한 것은 Wafer에 Doping을 하는 것입니다. 그래서 반도체의 정의와 같은 p-n junction을 만드는 것입니다. 그래서 이번 포스팅에서는 Gaussian profile의 수식을 통해 원하는 Junction depth를 계산하는 방법에 대해 알아보겠습니다. 1. Junction depth & sheet resistance Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger Junction depth를 측정할 때 도핑한 값 N(x)와 Substrate의 도핑 농도인 NB가 같은 지점에서 Junction이 이뤄지게 됩니다. 왜냐하면 n-type과 p-type Dophant는 서로 Compensation을...

원문링크 : 반도체 공정 32장(Junction depth & Deviation from theory)