반도체 공정 33장(Channeling & Two stopping mechanism)

저번 포스팅까지는 주어진 상황에서 원하는 조건에 맞춰 Ion implantation 공정을 진행하기 위한 Mathematical approach와 Ideal case와 다른 Real case Gaussian profile에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅부터는 Crystalline wafer에서 Ion 이 특정 Path로 더 깊게 침투하는 현상인 Channeling 현상과 Stopping mechanism에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1. Channeling 채널링(Channeling)이란 위 그림처럼 Crystalline 물질에서 특정 경로를 따라 이온이 쉽게 침투(Penetration)하는 현상을 일컫습니다. 즉, 같은 물질이어도 Ion implantation 방향에 따라서 Projected range가 매우 달라지게 됩니다. Channeling 현상 때문에 엔지니어들은 원하는 깊미만큼 Doping을 진행 할 수 없게 되고, 의도대로 p-n junction을 형성할 수 없게 됩...

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