반도체 공정 14강(Etching)

앞서 굴절(Diffraction limit), 광전효과(Secondary electron), 난반사, 전반사에 의해 의도치 않은 곳에 노광이 진행되는 문제점과 그에 따른 해결법에 대해 알아봤습니다. 이번 시간에는 현상(Development) 공정을 진행하여 원하는 부분에 부식방지코팅을 남겨놓은 웨이퍼에 어떻게 에칭(Etching)을 진행하는지 알아보고, 그 종류에 대해 알아보겠습니다. 1. 화학적, 물리적 건식 식각(Etching) Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda 2001 by Prentice Hall ① 물리적 에칭(Physical etching) 먼저 물리적 에칭은 용액을 사용하지 않고, 진공상태(Ar atmosphere)에서 에칭을 진행합니다. 따라서 물리적 에칭은 건식 식각(Dry etching) 메커니즘이라고 할 수 있습니다. 위 그림에서 물리적 에칭은 Sputtering과 같...

원문링크 : 반도체 공정 14강(Etching)