반도체 공정 13강(Diffraction limit & Secondary electron)


반도체 공정 13강(Diffraction limit & Secondary electron)

앞선 내용에서 PR에 노광을 진행할 때, 빛의 굴절 현상이나 광전효과, 난반사로 인해 원하는 만큼 노광이 진행되지 않는다고 했습니다. 그럼 이번 시간에서는 빛의 굴절(Diffraction)이나 광전효과(Secondary electron), 난반사가 어떻게 발생하는지, 그리고 그것을 막기 위한 기술이 어떤게 있는지 알아보도록 하겠습니다. 1. Diffraction limit SILICON VLSI TECHNOLOGY, J. D. Plummer, M. D. Deal, P. B. Griffin 빛은 입자의 성질을 갖는 동시에 파동의 성질을 갖고 있습니다. 회절(Diffraction)은 파동의 성질 중 하나로, 파동이 좁은 틈을 통과할 때 직진하지 않고, 휘어서 진행하는 성질을 말합니다. 따라서 위 그림에서 마스크 사이에 길이 W의 틈이 있다고 해도 길이 W 만큼 노광이 진행되는 것이 아니라 더 긴 범위에 영향을 미치게 됩니다. ① Contact printing - PR에 마스크를 붙인 상...


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