반도체 공정 6강(Gettering, Oxygen concentration)

앞서 웨이퍼를 만들기 앞서 잉곳을 만들 때 초크랄스키 공법(Cz)을 많이 사용한다고 했습니다. 다만 문제점은 Carbon heater와 SiO2 crucible에 의해 산소와 탄소 불순물 농도가 증가하는 문제점이 있었습니다. 게다가 실리콘은 Open structure이기 때문에 Interstitial lattice site에 있는 산소의 확산속도도 빠르기 때문에 산소를 더욱 잘 받아들이게 됩니다. 여기서 탄소는 사실 실리콘의 전기적 특성에 큰 영향을 주지 않습니다. 왜냐하면 실리콘과 같은 4족 원소이기 때문이겠지요? 문제는 산소입니다. 산소는 실리콘 웨이퍼의 전기적 특성에 영향을 주기 때문에 최대한 제거해야 합니다. 이번 시간에는 실리콘 웨이퍼에 산소가 어떤 영향을 끼치는지, 그리고 웨이퍼에서 산소 농도를 줄이기 위한 Gettering에 대해 알아보겠습니다. 1. 실리콘 웨이퍼에 산소는 어떤 영향을 끼치는가? 초크랄스키 공법에서 발생하는 산소 불순물 농도는 약 5*1017 ~ 1*1...

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