SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기

'반도체 소자 제작 및 특성분석(심화)'는 총 4일의 교육과정으로 구성되어 있습니다. n-MOSFET 소자를 처음부터 끝까지 만들기 위해 Fab-in과 Fab-out까지의 시간이 3일, 소자 특성을 측정하는 데 1일이 걸립니다. 교육시간은 서론에서 설명드렸다시피 오전 9시부터 오후 6시까지입니다. 집은 동대문인데, 광교에 9시까지 가야 해서 정말 이른 시간부터 버스를 타고 이동해야 했습니다. 결국 교육 시작 시간보다 훨씬 빠른 8시에 도착했네요 ㅎㅎ 포스팅 순서는 공정 순서에 맞춰 아래와 같이 진행될 예정입니다. ① FAB-in / Starting wafer ② Active area patterning ③ Gate oxidation / Poly Si deposition ④ Gate photolithography ⑤ S/D doping / ILD deposition ⑥ Contact region photolithography ⑦ Metal deposition / Metal region...

#SPTA #공정실습 #반도체 #반도체공정실습

원문링크 : SPTA 공정실습 반도체 소자 제작 및 특성분석(심화) 후기 - ② FAB / Starting wafer