반도체 공정 38장(Film Growth kinetics)

앞서 박막 증착 공정(Film deposition process)의 개론에 대해 알아봤습니다. 이번 시간에는 어떻게 박막이 성장하는지 수식으로 표현하는 방법(Growth kinetics)에 대해 알아보겠습니다. 1. Single crystal Growth kinetics SILICON VLSI TECHNOLOGY, J. D. Plummer, M. D. Deal, P. B. Griffin 위 그림은 박막 증착 공정의 표면에서 일어나는 성장 원리(Growth kinetics)에 대한 설명입니다. ① Reactant가 Forced convection에 의해 Stream을 따라 Deposition region으로 이동합니다. ② Reactant가 Main gas stream에서 정지층(boundary layer)로 들어가서 확산을 통해 wafer surface에 도달합니다. ③ Reactant가 웨이퍼 표면에 흡착됩니다. ④ Reactant가 Chemical decomposition, Su...

원문링크 : 반도체 공정 38장(Film Growth kinetics)