반도체 공정 4강(Ingot growing)

반도체를 만들기 위해 순도높은 실리콘을 얻어내는 것은 성공했습니다. Si deposition method로부터 순도 11N의 EGS(Electronic grade Si)를 얻어냈기 때문입니다. 하지만 반도체에 쓰이기 위해서는 이 다결정 실리콘을 단결정 실리콘으로 바꿔줘야 합니다. 오늘은 어떻게 다결정 실리콘인 EGS를 단결정 실리콘인 잉곳(Ingot)으로 성장시키는지 알아보겠습니다. 잉곳을 만들기 위한 공법은 크게 세 가지로 분류할 수 있습니다. Czochralski Process(Cz). Floating zone Process(Fz), 그리고 Bridgman method입니다. 1. Czochralski Process(Cz) 초크랄스키 공법은 앞선 공법들을 모두 거쳐온 순도 높은 다결정 실리콘인 EGS를 SiO2 Crucible 안에 넣고, Seed Holder의 회전 방향과 Crucible shaft의 회전 방향을 서로 다르게 하여 Single crystal Si(Ingot)를 ...

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