반도체 공정 15강(Dry RF Plasma etching)

앞서 전반적인 에칭의 종류에 대해 배웠습니다. 이번에는 에칭 중에서 가장 많이 쓰이는 Dry RF Plasma etching(Ion enhanced etching)에 대해 배워보겠습니다. 플라즈마란 전기적으로 중성을 갖는 일반적인 기체 분자가 전기 / 열 에너지를 받아 이온과 전자로 분리되어있는 상태입니다. 즉, 기체에 충분한 에너지를 주게 되면 원자들 간의 충돌이 많아지게 되고, 많은 수의 전자들의 원자핵의 구름에서 벗어나는 현상입니다. 1. Dry RF Plasma system SILICON VLSI TECHNOLOGY, J. D. Plummer, M. D. Deal, P. B. Griffin Dry RF Plasma etching(Ion enhanced etching)은 기본적으로 Sputtering의 원리와 같습니다. 진공 중에서 Ar 등의 비활성기체의 글로 방전(Glow discharge)을 통해 형성된 Ar+ 등의 Plasma ion이 웨이퍼 표면에 부딛히고 떨어지는 것을...

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