반도체 재료 9.5장(Hot point probe measurement & differentiation relation)

Carrier action의 마지막 파트인 Recombination & Generation에 대해 알아보기 전에 온도구배를 이용하여 빠르게 n-type 인지 p-type인지 판단이 가능한 Hot point probe measurement에 대해 알아보고, 밴드갭을 미분하면서 어떤 값들을 얻을 수 있는지에 대해 알아보겠습니다. 1. Hot point probe measurement Hot point probe measurement는 손쉽게 Dominant carrier를 판별할 수 있는 유용한 도구입니다. 방법은 간단합니다. Temerature gradient를 만들 수 있는 Probe 에 전류계를 설치한 상태로 반도체에 가져다 대기만 하면 됩니다. 온도가 높은 Probe 에 닿았을 경우 캐리어는 멀어지는 현상을 활용한 방법으로, n-type의 경우 전자가 뜨거운 쪽으로부터 멀어지기 때문에 뜨거운 Probe 에는 (+)가 걸리게 됩니다. 반대로 p-type의 경우 양공이 뜨거운 쪽으로...

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