반도체 공정 36장(High energy accelerator & Ion beam accelerator)

저번 시간까지 Ion implantation과 그에 따른 부작용을 해결하는 방법(Annealing)에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅부터는 Ion implantation process를 진행하기 위한 필수적인 장치로 이온 빔을 발생시키는 High energy accelerator(Ion beam accelerator)에 대해 알아보겠습니다. 1. High energy accelerator / High energy accelerator Introduction to Microelectronic Fabrication, 2nd Ed., R. C. Jaeger ① Ion source 높은(25kV) 전압에서 Ion source가 작동되는데, 이때 원하지 않는 이온까지 플라즈마로 형성됩니다. ② Mass spectrometer(Analyzer magnet) 원하는 불순물 이온을 선택하기 위해 로렌츠 힘(Lorentz force)를 이용하여 이온빔을 꺾습니다. 그리고 Aperture slit을 ...

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