반도체 공정 20.5강(Chemical Mechanical Polishing)

앞서 공정을 거칠 때마다 CMP(Chemical Mechanical Polishing)을 통해 웨이퍼의 표면을 평평하게 만들어줘야 한다는 것을 배웠습니다. CMP 공정은 웨이퍼를 원자단위로 굴곡이 없이 평평하게 만들기 위해 사용합니다. 특히 다층 금속화 공정(Multilevel metallization)에 있어 필수적으로 필요한 요소입니다. https://www.agc.com/en/products/electoric/img/product_electoric05_04.jpg 좌측 그림은 CMP 장비의 실제 사진이고, 좌측은 CMP의 도식도 입니다. 먼저 회전이 가능한 Chunk와 Platen 위에 말랑한 고무재질의 Pad가 있습니다. 이후 손소독제 정도의 점성을 갖고 있는 CMP slurrry와 SiC 연마제를 지속적으로 Pad 위에 도포해줍니다. 그럼 Head에 고정되어 있는 Wafer가 서서히 연마되겠죠. 물론 Conditioner는 첨가제로서 CMP 장치를 제조하는 각 기업의 노하우...

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