반도체 공정 21장(Oxidation process theory 서론)

반도체에 있어 산화막(Oxide)은 필수적인 요소입니다.(Gate oxide, Field oxide, Pad oxide, Implant screen oxide, Barrier oxide...) 이처럼 산화막은 반도체의 다양한 곳에서 다양한 용도로 사용되고 있습니다. 그렇다면 산화막을 원하는 곳에, 원하는 만큼 형성하기 위한 조건은 무엇일까요? 1. Linear region (Semiconductor Manufacturing Technology by Michael Quirk and Julian Serda) 2001 by Prentice Hall 반응 초기에는 Oxide가 아직 형성되지 않은 시점이기 때문에, 충분한 양의 산소가 Si 계면에 맞닿아 있을 것입니다. 따라서 반응속도를 결정하는 요인은 Si 표면의 반응속도입니다. 즉, 얼마나 빠르게 Si-Si bond가 끊어지고 Si-O bond 를 형성하는지의 지표인 k0(Rate constant)가 중요한 요소입니다. 이때 산화막의 두께...

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