반도체 공정 42.5장(Sputtering)

저번 포스팅까지 Sputtering에 필수적인 장치인 High-vacuum pump가 어떻게 작동하는지에 대해 알아봤습니다. 이번 포스팅에서는 드디어 Sputtering 장치에 대해 알아보겠습니다. 1. Sputtering SILICON VLSI TECHNOLOGY, J. D. Plummer, M. D. Deal, P. B. Griffin 위 그림은 Sputtering 장치입니다. 위 그림에서 양극과 음극 사이의 전압에 의해 High energy가 아르곤 기체에 가해지면 원자핵과 전자가 분리되는 플라즈마 현상이 일어나게 됩니다. 따라서 Ar+가 전위차이에 의해 Cathode로 끌려가게 되고, Target에 부딪혀서 Target 물질이 방출됩니다. 방출되는 Target 물질은 Anode 쪽으로 가속되어 Wafer에 충돌하여 증착되는 메커니즘입니다. 거의 진공상태에서 진행하는 공정이기 때문에 Ar 입자가 별로 없는 경우 플라즈마가 생기지 않을 수 있습니다. 그때는 앞서 학습한 Gate ...

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