Oxidation - (1)

Oxdation Oxidant 가 타겟 표면과 반응하면서 산화막이 성장되는 것. 원 재료를 갉아먹기 때문에 ( 반응 ) 타겟의 두께는 얇아지고, 얇아진 만큼 산소와 결합하여 박막 성장. Oxidant는 형성된 산화막을 뚫고 들어가 타겟의 포면과 반응해야 하기 때문에 성장 속도가 시간에 따라 느려진다. Depotion gas를 주입해 주어 산화막을 형성시킨 후 표면 위에 쌓는다. 타겟물질이 반응에 참여하지 않기 때문에 두께가 감소하지 않는다. 위에서부터 쌓이기 때문에 시간에 따른 박막의 두께 증착률은 일정하다. 화학반응으로 인해 생긴 부산물이 발생된다. 온도에 따른 Oxide T < 200 C anodization : ethylen glycol(C2H4(OH)4) + KNO3 vacuum depos..........

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