7월 12일 "마이크론보다 2년 빨라"…SK하이닉스, EUV D램 양산

SK하이닉스가 EUV(극자외선) 노광장비를 활용한 '10나노급 4세대 D램' 양산을 시작 10나노급 4세대 D램 양산은 메모리반도체 세계 3위인 미국 마이크론에 이어 2번째 D램 양산에 EUV를 활용한 것도 삼성전자에 이어 전세계서 2번째 "마이크론보다 2년 빨라"…SK하이닉스, EUV D램 양산(종합) SK하이닉스, EUV로 10나노급 4세대 D램 첫 양산 진격의 SK하이닉스…EUV 활용 '4세대 10나노' D램 양산 SK하이닉스, EUV 활용 10나노급 4세대 D램 본격 양산 SK하이닉스, EUV 활용 10나노급 4세대 D램 양산 SK하이닉스, EUV 장비로 4세대 모바일 D램 양산 SK하이닉스, 10나노급 4세대 D램 양산…EUV 활용으로 안정성 확보..........

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