성균관대 김윤석 교수, 하프늄옥사이드 이온빔 강유전성 증폭, 차세대 반도체 소자 초고집적화.

성균관대 김윤석 교수, 하프늄옥사이드 이온빔 강유전성 증폭, 차세대 반도체 소자 초고집적화. 반도체 더 작게, 성능은 극대화, 한국 연구진이 해결했다 김윤석 성균관대 신소재공학부 교수 연구팀은 '하프늄옥사이드'에 이온빔을 이용해 강유전성을 획기적으로 향상시켰습니다. 과학자들은 차세대 반도체 소자 개발을 위해 '크기와의 전쟁'을 펼치고 있습니다. 소자는 작아져도 용량은 커져야 하고 성능까지 향상시켜야 하기 때문입니다. 이런 상황에서 국내 연구진이 반도체 소자의 초고집적화(웨이퍼 표면 위 전자 회로 초고도 집적)를 위한 응용 가능성을 열었습니다. 김윤석 성균관대 신소재공학부 교수 연구팀은 13일 국제학술지 사이언스에 '하프늄옥사이드'에 이온빔을 이용해 강유전성을 획기적으로 향상시킨 연구 논문을 게재했습니다...

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