물리전자개론 #6-4 유전체 이완시간상수,Haynes–Shockley 측정법


물리전자개론 #6-4 유전체 이완시간상수,Haynes–Shockley 측정법

6.3.4 유전체 이완시간상수(Dielectric Relaxation Time Constant) 위 그림처럼 접지되어 있는 n-type 반도체에 균일한 농도의 홀들이 한쪽에서 주입되는 경우를 생각해보자. 이 경우에 반도체는 어떻게 전기적 중성에 도다를 것이며 도달하기까지의 속도는 어떻게 될까? 이를 위해 아래 3개의 식을 보기로 하자. 1.푸아송 방정식으로 전기장과 전하밀도에 대한 식이다 2.옴의 법칙이다. V=IR을 다른 형태로 표현한 식이다. 3.앞서 배웠던 연속방정식이다. 생성과 재결합에 대한 식은 제외하였다. 3개의 식이 J와 E를 공유하므로 다음과 같이 연결할 수 있을 것이다. $$ \bigtriangledown \cdot J=\sigma \bigtriangledown \cdot E=\frac{..


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