삼성, 2025년 GAA 2nm 최첨단 공정 양산 계획

http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=14571 삼성, 2025년 'GAA 2nm' 최첨단 공정 양산 목표 - 전자부품 전문 미디어 디일렉 삼성전자가 오는 2025년 게이트올어라운드(GAA) 기반의 2나노 공정 양산을 시작한다. 또 내년 6월에는 GAA 기반의 3나노 공정 양산을 시작하겠다고 밝혔다. TSMC와 인텔보다 앞서 초미세공정 주도권을 쥐겠다는 ... www.thelec.kr 요약) GAA = 채널 3면 활용하던 핀펫 구조에서 4면을 사용하는 구조로 변경 => 전류 조절 능력, 높은 전력효율성 MBCFET = 5나노 핀펫 대비 성능 30% 향상, 전력소모 50%감소, 면적 35%감소 2025년 GAA 기반 2나노 공정 양산 시작 예정, 2022년 6월 GAA 3나노 공정 양산 시작 핀펫 17나노 신공정개발 => 28나노 대비 성능 39%, 전력효율 49%향상, 면적 43%감소 => CIS, 모바일 DDIC, 웨어러블 핀펫, ...

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