반도체 전공정 ② - 5. Oxidation 공정 - Oxide Charge(Fixed Oxide, Interface, Mobile 등), PMA, FGA

반도체 전공정 ② - 4. Oxidation 공정 - 산화공정 변수(Oxidant, 온도, 압력, 도핑 농도 등), Thermal Budget, Dopant Segregation https://blog.naver.com/dlsgur5585/222571499416 이어서 계속됩니다. 엔지니어가 산화공정을 진행할 때, ... blog.naver.com 이어서 계속됩니다. MOSFET 소자에서 Oxidation 공정을 진행하여 다양한 산화막을 형성시킵니다. 특히 산화 공정으로 생성하는 Gate Oxide는 소자의 품질을 결정하는 가장 중요한 요소입니다. 산화 공정을 진행할 때, 원치않는 Charge들이 Oxide에 침입하여 Carrier에 전기적 영향을 주며, mobility에 문제를 발생시킵니다. 따라서 이러한 Charge들이 무엇이 있는지, 해결책은 어떤것이 있는지 알아야합니다. Oxide Charge 출처 : 공대킹 최종문 1) Fixed Oxide Charge (Qf) - 주로 S...

원문링크 : 반도체 전공정 ② - 5. Oxidation 공정 - Oxide Charge(Fixed Oxide, Interface, Mobile 등), PMA, FGA