반도체 전공정 ② - 2. Oxidation 공정 - SiO2 성장 방식(Wet, Dry), Furnace, RTP, 두께 측정 장비(a-step, Elipsometer 등)

https://blog.naver.com/dlsgur5585/222559773759 반도체 전공정 ② - 1. Oxidation 공정 - SiO2 특성, 성장 Process, LOCOS & STI 반도체 전공정 중 가장 처음에 배우는 산화공정은 소자에 아주 유용하게 사용되고 있는 공정입니다. 웨이퍼... blog.naver.com 이어서 계속됩니다. "Oxide들은 어떻게 생성이 될까?" ①. Native Oxide Native Oxide 웨이퍼를 갓 만들게 되면 표면의 Danglig Bond와 자연계에서의 산소가 결합을 하게 됩니다. 이로써 1~5nm 크기의 자연 산화막, 즉, Native Oxide이 생성하게 되는데요. Native Oxide는 엔지니어가 인위적으로 생성한 것이 아닌 자연적으로 만들어진것이기 때문에 반드시 제거를 해줘야합니다. 반도체 공정에서는 엔지니어가 소자를 만드는데 있어 제어할 수 없으면 부정적인 요소로 판단이 되어집니다. 거의 대부분요! 또한 Native ...

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