반도체 전공정 ② - 4. Oxidation 공정 - 산화공정 변수(Oxidant, 온도, 압력, 도핑 농도 등), Thermal Budget, Dopant Segregation

https://blog.naver.com/dlsgur5585/222571499416 반도체 전공정 ② - 3. Oxidation 공정 - Deal-Grove model, 성장 초기/말기속도, Massaoud model https://blog.naver.com/dlsgur5585/222563585307 이어서 계속됩니다. 모든 열산화막의 성장은 크게 Diffu... blog.naver.com 이어서 계속됩니다. 엔지니어가 산화공정을 진행할 때, 공정 파라미터를 조절해줍니다. 산화공정 엔지니어라면 산화막의 품질, 두께 등에 영향을 미치는 요소들을 모두 고려를 해야겠죠. SiO2막에 영향을 미치는 변수들은 여러가지가 있습니다. "산화공정 속도에 대한 변수" Oxidant 지난시간에도 살짝 언급했습니다만 수식적으로 왜그런지 자세히 알아보겠습니다. 산화막의 두께는 속도와 밀접한 관련이 있으며, 이는 D-G 모델의 Linear부분과 Parabolic 부분에 해당되는 식과 관련이 있습니다. 즉...

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