[반도체 8대공정]_Photolithography(4)


[반도체 8대공정]_Photolithography(4)

하루에 한페이지씩 완벽하게 내것으로 Photolithography process 5. PEB (Post Expose Bake) "현상하기 전 열을 가해 PAC를 확산시켜 PR 사이사이 공간을 채워 매끄러운 표면을 얻기 위한 과정" Standing Wave 단파장 expose에 의해 입사광과 wafer 표면에서 반사된 빛이 서로 보강, 상쇄 간섭을 일으켜 PR 단면에 파장 형태의 굴곡을 남기는 현상 -문제점 1. 극심한 경우 resolution이 저하된다. 2. standing wave의 node 지점이 취약해서 pattern이 무너질 수 있다. 3. vertical profile에서 어느 지점의 CD를 측정해야 하는지 몰라 CD 측정 Error가 유발된다. -해결방법 현상 해결방법 PEB 원인 해결방법 1. BARC(Bottom Anti-Refrective Coating) -> PR 밑에 반사 방지막을 깔아 빛의 반사를 억제한다. 2. ARL: Anti - Reflective Lay...


#반도체8대공정 #반도체취준 #삼성전자 #취뽀 #포토공정 #하이닉스

원문링크 : [반도체 8대공정]_Photolithography(4)